mi spiegate una cosa sugli esc brushless?

[galaxy]

ho letto quì sul forum che ogni esc brushless ha due banchi di mosfet per ognuna delle 3 fasi. uno di tipo N e uno di tipo P. ma di tutti gli esc br che ho aperto ho sempre visto i mosfet tutti uguali. cosa mi sfugge?

[djflix]

Originalmente inviato da galaxy

ho letto quì sul forum che ogni esc brushless ha due banchi di mosfet per ognuna delle 3 fasi. uno di tipo N e uno di tipo P. ma di tutti gli esc br che ho aperto ho sempre visto i mosfet tutti uguali. cosa mi sfugge?

Gli ESC, siano essi brushless o brushed, possono essere costruiti sia impiegando transistori finali mosfet configurati in simmetria complementare (cioè uno a canale N e l' altro P) che non (ossia dello stesso tipo, tutti N o tutti P). Ciò che cambia è solo il circuito del driver che per transistori dello stesso tipo è leggermente più complesso.

Ed è proprio questo il motivo per cui si usa schematizzare lo stadio finale di un ESC con i transistori disposti in simmetria complementare, mentre in pratica si tiene conto ai costi.

Siccome il circuito del driver ha un costo irrisorio, mentre i mosfet a canale P hanno un costo superiore (perchè sono più difficili da produrre) rispetto a quelli a canale N, allora il produttore di ESC preferisce usare tutti mosfet uguali (stessa sigla) a canale N, che tra l' altro gli consentono di ottenere uno sconto maggiore per grosse quantità.

[MSchiepp]

Originalmente inviato da djflix

...Siccome il circuito del driver ha un costo irrisorio, mentre i mosfet a canale P hanno un costo superiore (perchè sono più difficili da produrre) rispetto a quelli a canale N

In realtà non è tanto il costo legato alla difficoltà di produzione, quanto il fatto che nel mosfet a canale P la resistenza interna (RdsOn) è più alta che nel canale N e questo limita la corrente massima a parità di dissipazione e quindi, a parità di prestazioni, servirebbe un mosfet P più grande del corrispondente a canale N.

Michele